Методы напыления тонких пленок, приенение установки вуп-5

ID работы - 744697
техника (реферат)
количество страниц - 18
год сдачи - 2008

---

СОДЕРЖАНИЕ:

---

Содержание
Введение 2
Термическое (вакуумное) напыление 3
Катодное напыление 5
Ионная бомбардировка 7
Ионно-плазменное напыление 9
Анодирование 11
Электрохимическое осаждение 12
ВУП-5, технические характеристики 13
Трансмиссионная электронная микроскопия 15
Заключение 17
Литература 18

---

ВВЕДЕНИЕ:

---

Введение.
Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик:
" получение тонких срезов на ультрамикротоме;
" утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой;
" напыление пленок - термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т.д.
" разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий).
Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой.
В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5.


Термическое (вакуумное) напыление.

Схема этого метода показана на рис.1. Металлический или стеклянный колпак 1 расположен на опорной плите 2. Между ними находится прокладка 3, обеспечивающая поддержание вакуума после откачки подколпачного пространства. Подложка 4, на которую проводится напыление, закреплена на держателе 5. К держателю примыкает нагреватель 6 (напыление проводится на нагретую подложку). Испаритель 7 включает в себя нагреватель и источник напыляемого вещества. Поворотная заслонка 8 перекрывает поток паров от испарителя к подложке: напыление длится в течение времени, когда заслонка открыта.
Нагреватель обычно представляет собой нить или спираль из тугоплавкого металла (вольфрам, молибден и др.), через которую пропускается достаточно большой ток. Источник напыляемого вещества связывается с нагревателем по-разному: в виде скобок ("гусариков"), навешиваемых на нить накала; в виде небольших стержней, охватываемых спиралью, в виде порошка, засыпанного в тигель, нагреваемый спиралью, и т. п. Вместо нитей накала в последнее время используют нагрев с помощью электронного луча или луча лазера.

---

СПИСОК ЛИТЕРТУРЫ:

---

Литература 1. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1-2, М., 1977; 2. Плазменная металлизация в вакууме, Минск, 1983; 3. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микроциклоров, 2 изд., М., 1987; 4. Волков С. С., Гирш В. И., Склеивание и напыление пластмасс, М., 1988; 5. Коледов Л. А., Технология и конструкция микросхем, микроциклоров и микросборок, М., 1989. Л. А. Коледов. 6. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, пер. с нем., М., 1972 7. http://www.chemport.ru 8. http://www.pulscen.ru/info/special/obscheeoborud/vakpumps
Цена: 750.00руб.