Разработка технологии одностороннего ХМП пластин кремния на станке 16В4Р

ID работы - 704082
разное (дипломная работа)
количество страниц - 97
год сдачи - 2012

---

СОДЕРЖАНИЕ:

---

Аннотация………….……………………………………………………….3
Введение……………………………………………….……...……………4
Глава 1. Химико механическое полирование пластин кремния большого диаметра………………………………………………………6
1.1 Факторы и основные показатели процесса химико-
механического полирования……………….………………6
1.2 Анализ технологических особенностей одностороннего
ХМП пластин кремния…………………………..…………..10
1.3 Аналитическое исследование погрешности формы пластин при ХМП…………………………………...…………18

Глава 2. Сравнительные характеристики оборудования для ХМП…………………………………………………………….………….25
2.1 Особенности и недостатки различных схем ХМП пластин кремния…………………………………………..………25
2.2 Методы и оборудование для монтажа пластин кремния…………………………………………………………………...31
2.3 Конструктивные особенности станка 16В4Р…………….43

Глава 3. Разработка технологии одностороннего ХМП пластин кремния на станке 16В4Р……………………………..………………48
3.1 Методика подготовки станка к проведению технологических процессов ХМП……………………………...48
3.2 Выбор схемы обработки и подбор технологических режимов……………………………………………………...………53
3.3 Методика проведения процессов ХМП…………….……..55
3.4 Результаты исследований………………………….………..58

Глава 4. Мероприятия по ПЭБ в процессах механической обработки кремниевых пластин…………………………….……….68
4.1 Опасные и вредные факторы, присутствующие на участке ХМП кремниевых пластин……………………………70
4.2 Мероприятия по устранению воздействия опасных и вредных факторов на персонал……………………………..….72
4.3 Охрана окружающей среды…………………………………75
4.4 Эргономические вопросы при ХМП………………………79
4.5 Расчет освещенности рабочего места……………………..80

Глава 5. Экономическое обоснование эффективности перехода к двухстороннему ХМП пластин Si на станке 16В4Р…….……..84
5.1 Исходные данные для расчета текущих затрат…….…..86
5.2 Расчет показателей экономической эффективности…..91

Выводы…………………………………………………………….……..95
Список литературы…………………………………………………….97

---

ВВЕДЕНИЕ:

---

Развитие микроэлектроники идет в соответствии с устойчивой тенденцией уменьшения топологических размеров элементов, увеличения степени интеграции и диаметра пластин.
Увеличение диаметра кремниевых пластин, используемых для изготовления СБИС и ССИС и уменьшение топологических размеров элементов явлются важными элементами увеличения производительности и цены изделия, приведенной к одному квадратному сантиметру кристалла. Это достигается за счет увеличения числа кристаллов на пластине.
В то же время, при уменьшении топологических размеров, ужесточаются требования к макрогеометрическим параметрам пластин. Поэтому особое внимание следует уделить одной из важнейших операций в производстве кремниевых пластин химико-механическому полированию (ХМП). Ее важность заключается в том, что всегда при улучшении микрогеометрических параметров пластины происходило ухудшение макрогеометрических параметров, достигнутых при шлифовании.
Используемое сейчас в нашей стране оборудование для операции ХМП работает на пределе своих возможностей. Параметры пластин диаметром 150 мм, которые полируются на нашем оборудовании, уже не удовлетворяют мировым стандартам, а пластин диаметром 200 мм не удовлетворяют даже нашим стандартам.
Таким образом, в связи с растущей потребностью на кремниевые пластины большого диаметра, усовершенствование операции ХМП является одной из проблем, стоящих в данный момент перед отечественными производителями кремниевой промышленности.
В рамках данной работы будет рассмотрен один из путей решения этой проблемы, а именно полирование склеенных между собой в единый блок пластин на станке двухсторонней полировки.

---

СПИСОК ЛИТЕРТУРЫ:

---

1. Чуканов С.В. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня.: Диссертация на соискание уч.степ.канд.техн.наук: 05.27.06. 2. Технология СБИС Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – Т.1. 3. Сагателян Г.Р., Шульга В.Г., Хохлов А.И. Минимизация формируемой на операции одностороннего полирования разнотолщинности тонких кремниевых пластин // Вестник МГТУ, Сер. Приборостроение, 1995, №3, с.109–120. 4. Работа “Модуль” Москва, НИИМВ, 1997г. 5. Хохлов А.И., Чуканов С.В., Шульга В.Г. Методы и оборудование для монтажа пластин кремния большого диаметра на технологическом этапе химико-механического полирования // Известия ВУЗов: Электроника, 1998, №4, с.37-41 6. Кузнецов С.М., Шевелькова Л.И., Сергеев С.А. Основные представления о классическом процессе формообразования //Формообразование оптических поверхностей /Под ред. К.Г. 7. Л.А.Константинова, И.И.Ларионов, В.М.Писеев “Методы и средства обеспечения безопасности технологических процессов на предприятиях электронной промышленности” М.МИЭТ, 1986г. 8. Каранеян В.И., Ушаков В.И., Дащинская Л.И., “Физиолого-гигиенические аспекты организации чистых производственных помещений” М.МИЭТ, 1986г. 9. Л.А. Константинова и др. Метододические указания по выполнению раздела “Охрана труда” в дипломном проекте для студентов МИЭТ/ под ред. В.И.Каракеян М.МИЭТ, 1988г. 10. В.И.Каракеян. “Токсикометрические характеристики материалов в технологии микроэлектроники” М.МИЭТ, 1992г 11. Л.А.Константинова, В.М.Писеев. Методические указания по выполнению раздела “Охрана окружающей среды” в дипломном проектировании под ред. В.И.Каракеян. М.МИЭТ,1988г. 12. А.Н.Пилишенко, В.Я.Лякса-Тиминский. Методические указания по выполнению курсовых работ по экономике и организации производства. Под ред. В.Я.Лякса-Тиминского М.МИЭТ, 1980г. 13. Ю.П.Анискин, В.Я.Лякса-Тиминский. Экономические проблемы научно-технического прогресса и методы расчета экономической эффективности. Учебное пособие. Под ред. А.В.Проскурякова М.МИЭТ, 1982г.
Цена: 8000.00руб.