Разработка ГИС

ID работы - 754997
разное (контрольная работа)
количество страниц - 20
год сдачи - 2000

---

СОДЕРЖАНИЕ:

---

1. Введение………………………………………………………
2. Теоретические сведения…………………………………….
3. Расчёт тонкоплёночных резисторов………………………..
4. Расчёт тонкоплёночных конденсаторов……………………
5. Разработка топологической структуры ИМС……………..
6. Приложение 1………………………………………………..
7. Приложение 2………………………………………………..
8. Заключение…………………………………………………..
9. Список литературы………………………………………….

---

ВВЕДЕНИЕ:

---

Элементы плёночной технологии.
Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок прово-дящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки.
Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допус-ками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характери-стиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях на-пряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисто-ров, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стан-дартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС.
В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag.
Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, ти-тана, Re и т. д.
Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением мо-ноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5.
Существует несколько способов получения тонких плёнок:
1. Электрическое осаждение;
2. Химическое осаждение;
3. Осаждение пиролитическим разложением;
4. Оплавление порошка стеклообразного материала;
5. Термовакуумное осаждение плёнок;
6. Катодное и ионно-плазменное распыление.

---

СПИСОК ЛИТЕРТУРЫ:

---

1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983. 2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. - М.: Сов. Радио. 1980. 3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985. 4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. - М.: Радио и связь, 1989. 5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986. 6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. - М.: В.Ш., 1991.
Цена: 450.00руб.