Моделирование роста кристалла арсенида галлия

ID работы - 686235
программирование (дипломная работа)
количество страниц - 100
год сдачи - 2012

---

СОДЕРЖАНИЕ:

---

Спецчасть
1.1. Введение 2-2
1.2. Постановка задачи 2-3
2. Описание программы
2.1. Общие сведения
2.1.1. Выбор языка программирования 2-4
2.1.2. Необходимое программное обеспечение 2-4
2.2. Функциональное предназначение 2-5
2.3. Описание логической структуры
2.3.1. Общая постановка задачи 2-5
2.3.2. Метод расщепления 2-7
2.3.3. Организация счета на центральном этапе расщепления 2-10
2.3.4. Метод встречной прогонки 2-16
2.3.5 Общая структура программы и ее частей 2-18
2.4. Используемые технические средства 2-25
2.5. Входные и выходные данные 2-25
2.6. Контроль сходимости итерационного процесса 2-26
2.7. Методика тестирования программы 2-26
Международный тест в квадратной области 2-29
2.8. Заключение 2-42

3. Технологическая часть
3.1. Отладка и общие принципы тестирования программ 3-1
3.2. Тестирование модулей 3-5
3.3. Тестирование и отладка программы 3-10

4. Экономическая часть
4.1. Теоретическая часть 4-1
4.2. Расчет 4-17

5. Производственно-экологическая безопасность
Теоретическая часть 5-1
Расчет воздухообмена 5-10

6. Заключение 6-1

---

ВВЕДЕНИЕ:

---

Монокристаллы и полупроводниковые структуры широко применяются в качестве элементной базы ЭВМ, в технике связи, лазерной технике и во многих других приложениях. К однородности и структурному совершенству кристаллов предъявляются весьма высокие требования, которые непрерывно возрастают в связи с миниатюризацией всех видов электронной техники. Процессы гидромеханики и тепломассообмена, происходящие в жидкой питающей среде при кристаллизации, могут быть причиной разнообразных дефектов в кристаллах и существенно влиять на производительность и ход соответствующих технологических процессов, являясь в некотором смысле связующим звеном между условиями их протекания и структурой и свойствами получаемых кристаллов. Несмотря на то, что эти свойства в большинстве случаев хорошо изучены, физические причины, вызывающие те или иные дефекты кристаллов, исследованы в значительно меньшей степени.

Главную роль в изучении процессов роста кристаллов играет математическое моделирование этих процессов.

Разрабатываемая программа является частью системы моделирования направленной кристаллизации кристалла GaAs в условиях микрогравитации, разработанной в НИИ НЦ в отделе 261 в рамках темы " Мангут-3" между НИИ НЦ и МНТЦ Полезных Нагрузок Космических Объектов.

---

СПИСОК ЛИТЕРТУРЫ:

---

1. Пасконов Полежаев " Численное моделирование процессов тепло-и массообмена".
2. Самарский А.А. " Теория разностных схем"
3. Марчук Г.И. " Методы вычислительной математики"
4. Статьи и отчеты, вышедшие из отдела 261 НИИ НЦ за 1993-96 годы
5. Салтыков А.И. " Программирование на языке Фортран"
Цена: 8000.00руб.